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APT65GP60L2DQ2G

功能描述：IGBT 600V 198A 833W TO264

RoHS：是

类别：分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

系列：POWER MOS 7®

标准包装：30

系列：GenX3™

IGBT 类型：PT

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V

Vge, Ic时的最大Vce（开）：3V @ 15V，100A

电流 - 集电极 (Ic)（最大）：200A

功率 - 最大：830W

输入类型：标准

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

供应商设备封装：PLUS247?-3

包装：管件

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